Цоколевка транзистора MJ12003

|

Характеристики транзистора MJ12003

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 750 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 1500 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 6
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
• Корпус: TO-3

Аналоги

Транзистор MJ12003 можно заменить на MJ12004, MJ12005