Цоколевка транзистора MJ14002G

|

Характеристики транзистора MJ14002G

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 60 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 300 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 100
• Корпус: TO-3

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MJ14002G является транзистор MJ14003G c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор MJ14002G можно заменить на MJ14002