Цоколевка транзистора MJ15011G

|

Характеристики транзистора MJ15011G

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 250 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 250 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 200 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 120
• Корпус: TO-3

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MJ15011G является транзистор MJ15012G c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор MJ15011G можно заменить на 2N6676, 2N6677, 2N6678, BUX48, BUX48A, BUY691, BUY69B, BUY701, BUY70B, MJ12022, MJ15011, MJ8504, MJ8505