Цоколевка транзистора MJ8501

|

Характеристики транзистора MJ8501

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 800 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 1400 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 8 V
• Ток коллектора, не более: 2.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 125 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 8
• Корпус: TO-3

Аналоги

Транзистор MJ8501 можно заменить на MJ8503, MJ8505