Цоколевка транзистора MJD112-1G

|

Характеристики транзистора MJD112-1G

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 2 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 до 12000
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 25 МГц
• Корпус: TO-251

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MJD112-1G является транзистор MJD117-1G c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор MJD112-1G можно заменить на MJD112-1, MJD122-1, MJD122-1G