Цоколевка транзистора MJD117-1G

|

Характеристики транзистора MJD117-1G

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -2 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 до 12000
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 25 МГц
• Корпус: TO-251

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MJD117-1G является транзистор MJD112-1G c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор MJD117-1G можно заменить на MJD117-1, MJD127-1, MJD127-1G