Цоколевка транзистора MJD210G

|

Характеристики транзистора MJD210G

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -40 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -8 V
• Ток коллектора, не более: -5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 12.5 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 45 до 180
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 65 МГц
• Корпус: TO-252

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MJD210G является транзистор MJD200G c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор MJD210G можно заменить на MJD210