Цоколевка транзистора MJD3055G

|

Характеристики транзистора MJD3055G

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 70 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 100
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 2 МГц
• Корпус: TO-252

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MJD3055G является транзистор MJD2955G c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор MJD3055G можно заменить на MJD3055, MJD3055T4, MJD3055TG4