Цоколевка транзистора MJD340-1G

|

Характеристики транзистора MJD340-1G

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 300 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 300 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 3 V
• Ток коллектора, не более: 0.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 15 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 до 240
• Корпус: TO-251

Аналоги

Транзистор MJD340-1G можно заменить на MJD340-1