Цоколевка транзистора MJD350T4G

|

Характеристики транзистора MJD350T4G

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -300 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -300 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -3 V
• Ток коллектора, не более: -0.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 15 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 до 240
• Корпус: TO-252

Аналоги

Транзистор MJD350T4G можно заменить на MJD350, MJD350G, MJD350T4