Цоколевка транзистора MJD50G

|

Характеристики транзистора MJD50G

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 500 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 15 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 до 150
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
• Корпус: TO-252

Аналоги

Транзистор MJD50G можно заменить на MJD50, MJD50T4, MJD50T4G