Цоколевка транзистора MJE200

|

Характеристики транзистора MJE200

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 40 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 8 V
• Ток коллектора, не более: 5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 15 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 45 до 180
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 65 МГц
• Корпус: TO-126

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MJE200 является транзистор MJE210 c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор MJE200 можно заменить на BDX35, BDX36, BDX37, KSE200, MJE200G