Транзистор MJE200G

Цоколевка транзистора MJE200G

|Цоколевка транзистора MJE200G

Характеристики транзистора MJE200G

  • Структура — n-p-n
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: 40 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: 8 V
  • Ток коллектора, не более: 5 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 15 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 45 до 180
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 65 МГц
  • Корпус: TO-126

Аналоги

Транзистор MJE200G можно заменить на BDX35, BDX36, BDX37, KSE200, MJE200