Цоколевка транзистора MJE5730G

|

Характеристики транзистора MJE5730G

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -300 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -300 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 до 150
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
• Корпус: TO-220

Аналоги

Транзистор MJE5730G можно заменить на MJE5730, MJE5731, MJE5731A, MJE5731AG, MJE5731G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G