Цоколевка транзистора MJE5851G

|

Характеристики транзистора MJE5851G

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -350 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -400 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -8 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15
• Корпус: TO-220

Аналоги

Транзистор MJE5851G можно заменить на MJE5851, MJE5852, MJE5852G