Цоколевка транзистора MJF3055G

|

Характеристики транзистора MJF3055G

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 90 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 90 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 100
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 2 МГц
• Корпус: TO-220F

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MJF3055G является транзистор MJF2955G c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор MJF3055G можно заменить на BD711, BD743C, BD911, BDT95, BDT95F, MJF3055