Цоколевка транзистора MMBT5551

|

Характеристики транзистора MMBT5551

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 180 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 0.6 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.35 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 80 до 250
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
• Корпус: SOT-23

Маркировка

Маркируется SMD-транзистор MMBT5551 кодом «3S«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MMBT5551 является транзистор MMBT5401 c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор MMBT5551 можно заменить на 2N5551S, KST5551