Цоколевка транзистора MMST5401

|

Характеристики транзистора MMST5401

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -150 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -160 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -0.2 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.2 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 240
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 300 МГц
• Корпус: SOT-323

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MMST5401 является транзистор MMST5551 c n-p-n структурой.