Цоколевка транзистора MPS650G

|

Характеристики транзистора MPS650G

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 2 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 75
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 75 МГц
• Корпус: TO-92

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MPS650G является транзистор MPS750G c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор MPS650G можно заменить на MPS650, MPS651, MPS651G