Цоколевка транзистора MPS6601G

|

Характеристики транзистора MPS6601G

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 25 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 4 V
• Ток коллектора, не более: 1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 50
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
• Корпус: TO-92

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MPS6601G является транзистор MPS6651G c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор MPS6601G можно заменить на 2SD471A, 2SD471AG, 2SD471AO, 2SD471AY, BC537-10, BC537-16, BC537-25, BC538-10, BC538-16, BC538-25, KSD471A, KSD471AG, KSD471AY, M8050, M8050-C, M8050-D, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPS6601, MPS6602, MPS6602G, MPS8050, MPS8050B, MPS8050C, MPS8050D, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, MPSW13, MPSW14, MPSW45, MPSW45A, MPSW45AG, MPSW45G, PN2222A, PN4033, SS8050, SS8050B, SS8050C, SS8050D, ZTX449, ZTX450, ZTX451, ZTX454, ZTX455, ZTX690B, ZTX692B