Цоколевка транзистора NZT660

|

Характеристики транзистора NZT660

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -3 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 2 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 75 МГц
• Корпус: SOT-223

Аналоги

Транзистор NZT660 можно заменить на BDP952, BDP954, BDP956