Цоколевка транзистора PBHV8540X

|

Характеристики транзистора PBHV8540X

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 500 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 0.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.52 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 30 МГц
• Корпус: SOT-89

Комплементарная пара

Комплементарной парой для PBHV8540X является транзистор PBHV9040X c p-n-p структурой.