Цоколевка транзистора TIP117G

|

Характеристики транзистора TIP117G

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -2 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
• Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для TIP117G является транзистор TIP112G c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор TIP117G можно заменить на 2N6042, 2N6042G, 2SB1020, 2SB1020A, 2SB1626, 2SB1626-O, 2SB1626-P, 2SB1626-Y, 2SB673, BDT62B, BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF127, MJF127G, MJF6668, MJF6668G, TIP107, TIP107G, TIP117, TIP127, TIP127G, TIP137, TIP137G, TIP147T, TTB1020B