Цоколевка транзистора TIP30BG

|

Характеристики транзистора TIP30BG

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 75
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для TIP30BG является транзистор TIP29BG c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор TIP30BG можно заменить на 2N6475, 2N6476, BD710, BD712, BD910, BD912, BDT30BF, BDT30CF, BDT42B, BDT42BF, BDT42C, BDT42CF, D44C10, D45C10, MJE5170, MJE5171, MJE5172, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, NTE292, TIP30B, TIP30C, TIP30CG, TIP42B, TIP42BG, TIP42C, TIP42CF, TIP42CG