Цоколевка транзистора TIP35B

|

Характеристики транзистора TIP35B

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 25 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 125 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 75
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-247

Комплементарная пара

Комплементарной парой для TIP35B является транзистор TIP36B c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор TIP35B можно заменить на TIP35BG, TIP35C, TIP35CG