Цоколевка транзистора TIP646

|

Характеристики транзистора TIP646

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 175 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
• Корпус: TO-3

Комплементарная пара

Комплементарной парой для TIP646 является транзистор TIP641 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор TIP646 можно заменить на 2N6650, BDX64A, BDX64B, BDX64C, BDX66A, BDX66B, BDX66C, BDX68A, BDX68B, BDX68C, MJ11013, MJ11013G, MJ11015, MJ11015G, MJ11031, MJ11031G, MJ11033, MJ11033G, MJ2501, MJ4031, MJ4032, TIP606, TIP607, TIP647