Цоколевка транзистора ZTX789A

|

Характеристики транзистора ZTX789A

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -25 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -3 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.5 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 250
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
• Корпус: TO-92