Цоколевка транзистора ZTX949

|

Характеристики транзистора ZTX949

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -4.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.2 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
• Корпус: TO-92