Цоколевка транзистора ГТ806Б

|

Обозначение транзистора ГТ806Б на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора ГТ806Б обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

|

Характеристики транзистора ГТ806Б

• Структура p-n-p
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В
• Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 15000 мА
• Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 2(30) Вт
• Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 10-100
• Обратный ток коллектора 10 МГц