Транзистор П217Г

Цоколевка транзистора П217Г

|Цоколевка и размеры транзистора П217Г

Обозначение транзистора П217Г на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора П217Г обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

|Обозначение транзистора П217Г на схемах

Характеристики транзистора П217Г

  • Структура p-n-p
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 60 В
  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 7,5 А мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 24 Вт Вт
  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 15…40 (3 В; 2 А)
  • Обратный ток коллектора 0,2* МГц