Цоколевка транзистора IRF530NS

|

Характеристики транзистора IRF530NS

• Корпус — D2-PAK
• Напряжение пробоя сток-исток 100 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 90.0 мОм
• Ток стока 17 А
• Заряд затвора 24.7 нКл
• Термосопротивление 1.9 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 3.8 Вт