Цоколевка транзистора IRF640NS

|

Характеристики транзистора IRF640NS

• Корпус — D2-PAK
• Напряжение пробоя сток-исток 200 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 150.0 мОм
• Ток стока 18 А
• Заряд затвора 44.7 нКл
• Термосопротивление 1.00 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 150 Вт