Цоколевка транзистора IRF6607

|

Характеристики транзистора IRF6607

• Корпус — DIRECTFET MT
• Напряжение пробоя сток-исток 30 В
• Максимальное напряжение затвора 12 В
• Сопротивление в открытом состоянии 3.3 мОм
• Заряд затвора 50.0 нКл
• Термосопротивление 3.0 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 42 Вт