Цоколевка транзистора IRF6608

|

Характеристики транзистора IRF6608

• Корпус — DIRECTFET ST
• Напряжение пробоя сток-исток 30 В
• Максимальное напряжение затвора 12 В
• Сопротивление в открытом состоянии 9.0 мОм
• Заряд затвора 15.0 нКл
• Термосопротивление 3.0 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 42 Вт