Цоколевка транзистора IRF6613

|

Характеристики транзистора IRF6613

• Корпус — DIRECTFET MT
• Напряжение пробоя сток-исток 40 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 3.4 мОм
• Заряд затвора 42.0 нКл
• Термосопротивление 1.4 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 89 Вт