Цоколевка транзистора IRF6614

|

Характеристики транзистора IRF6614

• Корпус — DIRECTFET ST
• Напряжение пробоя сток-исток 40 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 8.3 мОм
• Заряд затвора 19.0 нКл
• Термосопротивление 3.0 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 42 Вт