Цоколевка транзистора IRF6616

|

Характеристики транзистора IRF6616

• Корпус — DIRECTFET MX
• Напряжение пробоя сток-исток 40 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 5.0 мОм
• Заряд затвора 29.0 нКл
• Термосопротивление 1.4 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 89 Вт