Цоколевка транзистора IRF6631

|

Характеристики транзистора IRF6631

• Корпус — DIRECTFET SQ
• Напряжение пробоя сток-исток 30 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 7.8 мОм
• Заряд затвора 12.0 нКл
• Термосопротивление 3.0 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 42 Вт