Цоколевка транзистора IRF6641

|

Характеристики транзистора IRF6641

• Корпус — DIRECTFET MZ
• Напряжение пробоя сток-исток 200 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 59.9 мОм
• Заряд затвора 34.0 нКл
• Термосопротивление 1.4 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 89 Вт