Цоколевка транзистора IRF6643

|

Характеристики транзистора IRF6643

• Корпус — DIRECTFET MZ
• Напряжение пробоя сток-исток 150 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 34.5 мОм
• Заряд затвора 39.0 нКл
• Термосопротивление 1.4 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 89 Вт