Цоколевка транзистора IRF6645

|

Характеристики транзистора IRF6645

• Корпус — DIRECTFET SJ
• Напряжение пробоя сток-исток 100 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 35.0 мОм
• Заряд затвора 14.0 нКл
• Термосопротивление 3.0 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 42 Вт