Цоколевка транзистора IRF6662

|

Характеристики транзистора IRF6662

• Корпус — DIRECTFET MZ
• Напряжение пробоя сток-исток 100 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 22.0 мОм
• Заряд затвора 22.0 нКл
• Термосопротивление 1.4 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 89 Вт