Цоколевка транзистора IRF6668

|

Характеристики транзистора IRF6668

• Корпус — DIRECTFET MZ
• Напряжение пробоя сток-исток 80 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 15.0 мОм
• Ток стока 55 А
• Заряд затвора 22.0 нКл
• Термосопротивление 1.4 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 89 Вт