Цоколевка транзистора IRF6708S2

|

Характеристики транзистора IRF6708S2

• Корпус — DIRECTFET S1
• Напряжение пробоя сток-исток 30 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 8.9 мОм
• Ток стока 36 А
• Заряд затвора 6.6 нКл
• Термосопротивление 7.6 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 20 Вт