Цоколевка транзистора IRF6710S2

|

Характеристики транзистора IRF6710S2

• Корпус — DIRECTFET S1
• Напряжение пробоя сток-исток 25 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 5.9 мОм
• Ток стока 37 А
• Заряд затвора 8.8 нКл
• Термосопротивление 9.8 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 15 Вт