Цоколевка транзистора IRF6711S

|

Характеристики транзистора IRF6711S

• Корпус — DIRECTFET SQ
• Напряжение пробоя сток-исток 25 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 3.8 мОм
• Ток стока 84 А
• Заряд затвора 13.0 нКл
• Термосопротивление 3.0 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 42 Вт