Цоколевка транзистора IRF6713S

|

Характеристики транзистора IRF6713S

• Корпус — DIRECTFET SQ
• Напряжение пробоя сток-исток 25 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 3.0 мОм
• Ток стока 95 А
• Заряд затвора 21.0 нКл
• Термосопротивление 3.0 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 42 Вт