Цоколевка транзистора IRF6716M

|

Характеристики транзистора IRF6716M

• Корпус — DIRECTFET MX
• Напряжение пробоя сток-исток 25 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 1.6 мОм
• Заряд затвора 39.0 нКл
• Термосопротивление 1.6 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 78 Вт