Цоколевка транзистора IRF8113G

|

Характеристики транзистора IRF8113G

• Корпус — SO-8
• Напряжение пробоя сток-исток 30 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 6.0 мОм
• Заряд затвора 24.0 нКл
• Термосопротивление 50 (JA) К/Вт