Цоколевка транзистора IRF8327S

|

Характеристики транзистора IRF8327S

• Корпус — DIRECTFET SQ
• Напряжение пробоя сток-исток 30 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 7.3 мОм
• Ток стока 60 А
• Заряд затвора 9.2 нКл
• Термосопротивление 3.0 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 42 Вт